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ZXMN6A08E6QTA
0.321
ZXMN6A08E6QTA 数据手册 (5 页)
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ZXMN6A08E6QTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-26-6
通道数
1 Channel
漏源极电阻
150 mΩ
功耗
8.8 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
上升时间
2.1 ns
输入电容值(Ciss)
459pF @40V(Vds)
下降时间
4.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.1W (Ta)

ZXMN6A08E6QTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

ZXMN6A08E6QTA 数据手册

Diodes(美台)
5 页 / 0.05 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.45 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.51 MByte

ZXMN6A08E6 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMN6A08E6  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 1 V
Diodes(美台)
ZXMN6A08E6TA 编带
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
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