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ZXMN6A08E6TA
0.184
ZXMN6A08E6TA 数据手册 (8 页)
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ZXMN6A08E6TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
2.50 A
封装
SOT-23-6
通道数
1 Channel
漏源极电阻
150 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.7 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.50 A
上升时间
2.1 ns
输入电容值(Ciss)
459pF @40V(Vds)
额定功率(Max)
1.1 W
下降时间
4.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1700 mW

ZXMN6A08E6TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.1 mm
宽度
1.8 mm
高度
1.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN6A08E6TA 数据手册

Diodes(美台)
8 页 / 0.19 MByte
Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte
Diodes(美台)
9 页 / 0.43 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.54 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 1 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZXMN6A08E6 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMN6A08E6  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 1 V
Diodes(美台)
ZXMN6A08E6TA 编带
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
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