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ZXMN6A09GTA
0.408
ZXMN6A09GTA 数据手册 (7 页)
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ZXMN6A09GTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
6.80 A
封装
SOT-223-3
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.045 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.9 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
6.90 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
1407pF @40V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
4.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta)

ZXMN6A09GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN6A09GTA 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.19 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.52 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.54 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZXMN6A09 数据手册

Diodes(美台)
N沟道,60V,7.5A,40mΩ@10V
Diodes(美台)
ZXMN6A09 系列 60 V 0.04 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) ZXMN6A09KTC TO-252
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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