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ZXMN6A11DN8TC
器件3D模型
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ZXMN6A11DN8TC 数据手册 (7 页)
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ZXMN6A11DN8TC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
2.70 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
180 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.25 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.20 A
上升时间
3.50 ns
输入电容值(Ciss)
330pF @40V(Vds)
额定功率(Max)
1.8 W

ZXMN6A11DN8TC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape, Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN6A11DN8TC 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.76 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.63 MByte

ZXMN6A11DN8 数据手册

Diodes(美台)
ZXMN6A11DN8 系列 双 60 V 0.12 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
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