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ZXMN6A11G
0.196
ZXMN6A11G 数据手册
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ZXMN6A11G 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-223
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.14 Ω
功耗
3.9 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
工作温度(Max)
150 ℃

ZXMN6A11 数据手册

Diodes(美台)
ZXMN6A11DN8 系列 双 60 V 0.12 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes(美台)
ZXMN6A11ZTA 编带
Diodes(美台)
N沟道 60V 3.1A
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMN6A11G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 V
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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