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ZXMN6A11G
0.467
ZXMN6A11G 数据手册 (9 页)
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ZXMN6A11G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.14 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.9 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
3.80 A
工作温度(Max)
150 ℃

ZXMN6A11G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)

ZXMN6A11G 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.4 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
14 页 / 0.5 MByte

ZXMN6A11 数据手册

Diodes(美台)
ZXMN6A11DN8 系列 双 60 V 0.12 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes(美台)
ZXMN6A11ZTA 编带
Diodes(美台)
N沟道 60V 3.1A
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMN6A11G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 V
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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