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ZXMN6A11ZTA
0.187
ZXMN6A11ZTA 数据手册 (8 页)
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ZXMN6A11ZTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
2.80 A
封装
SOT-89-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
180 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.6 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.60 A
上升时间
3.5 ns
输入电容值(Ciss)
330pF @40V(Vds)
额定功率(Max)
1.5 W
下降时间
4.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1.5W (Ta)

ZXMN6A11ZTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.6 mm
宽度
2.6 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN6A11ZTA 数据手册

Diodes(美台)
8 页 / 0.55 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
9 页 / 0.62 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZXMN6A11 数据手册

Diodes(美台)
ZXMN6A11DN8 系列 双 60 V 0.12 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes(美台)
ZXMN6A11ZTA 编带
Diodes(美台)
N沟道 60V 3.1A
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMN6A11G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 V
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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