器件3D模型

￥ 28.122

ZXMN6A25N8TA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

ZXMN6A25N8TA 数据手册 (20 页)

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1 型号编号列表

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ZXMN6A25N8TA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

50 mΩ

极性

N-CH

功耗

2.8 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

5.7A

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

1063pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

1.56 W

下降时间

10.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2800 mW

ZXMN6A25N8TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

ZXMN6A25N8TA 符合标准

ZXMN6A25N8TA 概述

ZXMN6A25N8TA 数据手册

ZXMN6A25N8TA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

20 页 / 1.49 MByte

ZXMN6A25N8TA 开发手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.52 MByte

ZXMN6A25N8TA 产品描述及参数

Diodes（美台）

8 页 / 0.25 MByte

ZXMN6A25N8 数据手册

Zetex

ZXMN6A25N8TA 数据手册

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Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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