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ZXMP3A16GTA
0.257
ZXMP3A16GTA 数据手册 (8 页)
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ZXMP3A16GTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-7.50 A
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.045 Ω
极性
P-Channel
功耗
2 W
漏源极电压(Vds)
30 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
7.50 A
上升时间
6.5 ns
输入电容值(Ciss)
1022pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
21.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta)

ZXMP3A16GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMP3A16GTA 数据手册

Diodes(美台)
8 页 / 0.55 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.23 MByte
Diodes(美台)
9 页 / 0.14 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZXMP3A16 数据手册

Diodes(美台)
P沟道,Vdss=30V,Idss=4.6A
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) ZXMP3A16N8TA SO-8
Diodes(美台)
ZXMP3A16 系列 30 V 0.045 Ohm 双 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
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