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ZXMP4A16GTA
0.188
ZXMP4A16GTA 数据手册 (4 页)
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ZXMP4A16GTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-40.0 V
额定电流
-6.40 A
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.06 Ω
极性
P-Channel
功耗
3.9 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
40 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
6.40 A
上升时间
8.84 ns
输入电容值(Ciss)
1007pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
12.54 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
3900 mW

ZXMP4A16GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMP4A16GTA 数据手册

Diodes(美台)
4 页 / 0.21 MByte
Diodes(美台)
9 页 / 0.23 MByte
Diodes(美台)
17 页 / 1.14 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.26 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZXMP4A16 数据手册

Diodes(美台)
ZXMP4A16GTA 编带
Diodes(美台)
ZXMP4A16KTC 编带
Zetex
ZXMP4A16GTA P沟道MOS场效应管 -40V -6.4A 0.060ohm SOT-223 marking/标记 ZXMP4A16 低导通电阻 快速开关
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, P沟道, 9.9 A, -40 V, 0.06 ohm, -10 V, -1 V
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMP4A16K  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.9 A, -40 V, 60 mohm, -10 V, -1 V
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
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