器件3D模型

￥ 0.461

ZXMP6A18DN8TA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

ZXMP6A18DN8 系列 60 V 0.055 Ohm 双通道 P 沟道增强模式 MOSFET -SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZXMP6A18DN8TA 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

ZXMP6A18DN8TA 数据手册 (8 页)

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ZXMP6A18DN8TA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-4.60 A

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.055 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

4.60 A

上升时间

5.8 ns

输入电容值(Ciss)

1580pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.8 W

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ZXMP6A18DN8TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZXMP6A18DN8TA 符合标准

ZXMP6A18DN8TA 海关信息

ZXMP6A18DN8TA 数据手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.65 MByte

ZXMP6A18DN8TA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

199 页 / 0.86 MByte

ZXMP6A18DN8TA 开发手册

Diodes（美台）

9 页 / 0.22 MByte

ZXMP6A18DN8TA 产品封装文件

Diodes（美台）

8 页 / 0.56 MByte

ZXMP6A18DN8TA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.15 MByte

ZXMP6A18DN8 数据手册

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Diodes（美台）

ZXMP6A18DN8 系列 60 V 0.055 Ohm 双通道 P 沟道增强模式 MOSFET -SOIC-8

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Diodes Zetex（捷特科）

P 通道 MOSFET，Diodes Inc.### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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