￥ 0.203

ZXTN2010GTA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-261-4

描述:

DIODES INC. ZXTN2010GTA 单晶体管双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.6 W, 6 A, 200 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZXTN2010GTA 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

ZXTN2010GTA 数据手册 (6 页)

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ZXTN2010GTA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

130 MHz

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

6.00 A

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

极性

NPN

功耗

1.6 W

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

100 @2A, 1V

额定功率(Max)

3 W

直流电流增益(hFE)

200

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

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ZXTN2010GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZXTN2010GTA 符合标准

ZXTN2010GTA 海关信息

ZXTN2010GTA 概述

ZXTN2010GTA 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.12 MByte

ZXTN2010GTA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

199 页 / 0.86 MByte

ZXTN2010GTA 产品描述及参数

Diodes（美台）

7 页 / 0.47 MByte

ZXTN2010GTA 产品修订记录

Diodes（美台）

7 页 / 0.18 MByte

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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

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Diodes（美台）

DIODES INC. ZXTN2010GTA 单晶体管双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.6 W, 6 A, 200 hFE

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NPN 晶体管，超过 1.5A，Diodes Inc### 双极晶体管，Diodes Inc### 晶体管，Diodes Inc

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Diodes Zetex（捷特科）

NPN 晶体管，超过 1.5A，Diodes Inc### 双极晶体管，Diodes Inc### 晶体管，Diodes Inc

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