Web Analytics
Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > FGH40T120 数据手册
图片仅供参考

FGH40T120 数据手册

型号系列:
FGH40T120 系列
分类:
IGBT晶体管
描述:
IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
更新于: 2023/01/13 02:11:23 (UTC + 8)

FGH40T120 IGBT晶体管 数据手册

#1
FGH40T120SMDL4

FGH40T120SMDL4

数据手册 (16 )
1.0
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
FGH40T120SMD

FGH40T120SMD

数据手册 (13 )
2.3
Fairchild(飞兆/仙童)
#3
FGH40T120SMD_F155

FGH40T120SMD_F155

数据手册 (13 )
1.3
Fairchild(飞兆/仙童)
#4
FGH40T120SMD-F155

FGH40T120SMD-F155

数据手册 (10 )
1.1
ON Semiconductor(安森美)

FGH40T120 数据手册 IGBT晶体管

10
ON Semiconductor(安森美)
分离式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FGH40T120SMD - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
555000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
查看更多
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号