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FGL40N120 数据手册

型号系列:
FGL40N120 系列
分类:
IGBT晶体管
描述:
分离式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
更新于: 2023/01/13 01:50:28 (UTC + 8)

FGL40N120 IGBT晶体管 数据手册

#1
FGL40N120ANDTU

FGL40N120ANDTU

数据手册 (12 )
3.0
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
FGL40N120ANTU

FGL40N120ANTU

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0.8
Fairchild(飞兆/仙童)
#3
FGL40N120ANDTU

FGL40N120ANDTU

数据手册 (9 )
2.1
ON Semiconductor(安森美)
#4
FGL40N120AND

FGL40N120AND

数据手册 (9 )
1.8
Fairchild(飞兆/仙童)

FGL40N120 数据手册 IGBT晶体管

9
Fairchild(飞兆/仙童)

FGL40N120ANDTU - ON Semiconductor(安森美) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-264-3
功耗
500000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
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FGL40N120ANDTU - ON Semiconductor(安森美) 概述

分离式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor
### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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