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FQP30N06 数据手册

型号系列:
FQP30N06 系列
分类:
MOS管
描述:
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP30N06, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
更新于: 2023/01/13 02:02:03 (UTC + 8)

FQP30N06 MOS管 数据手册

#1
FQP30N06

FQP30N06

数据手册 (11 )
2.3
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
FQP30N06L

FQP30N06L

数据手册 (10 )
2.4
Fairchild(飞兆/仙童)
#3
FQP30N06L

FQP30N06L

数据手册 (8 )
2.6
ON Semiconductor(安森美)
#4
FQP30N06

FQP30N06

数据手册 (8 )
1.6
ON Semiconductor(安森美)

FQP30N06 - ON Semiconductor(安森美) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.031 Ω
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FQP30N06 - ON Semiconductor(安森美) 概述

QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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