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MMBD7000LT1 数据手册

型号系列:
MMBD7000LT1 系列
分类:
二极管阵列
描述:
双开关二极管 Dual Switching Diode
更新于: 2023/01/13 03:27:20 (UTC + 8)

MMBD7000LT1 二极管阵列 数据手册

#1
MMBD7000LT1G

MMBD7000LT1G

数据手册 (14 )
6.5
ON Semiconductor(安森美)
#2
MMBD7000LT1HTSA1

MMBD7000LT1HTSA1

数据手册 (7 )
1.4
Infineon(英飞凌)
#3
MMBD7000LT1

MMBD7000LT1

数据手册 (7 )
0.5
Infineon(英飞凌)
#4
MMBD7000LT1

MMBD7000LT1

数据手册 (6 )
1.3
ON Semiconductor(安森美)

MMBD7000LT1 数据手册 二极管阵列

6
Infineon(英飞凌)
二极管 - 通用,功率,开关 AF DIODE 100V 0.2A
6
Leshan Radio(乐山无线电)

MMBD7000LT1 - ON Semiconductor(安森美) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
200 mA
电容
1.50 pF
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MMBD7000LT1 - ON Semiconductor(安森美) 概述

反向电压VrReverse Voltage| 100V
\---|---
平均整流电流IoAverage Rectified Current| 200mA/0.2A
最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.1V
反向恢复时间TrrReverse Recovery Time| 4.0ns
最大耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W
Description & Applications| FeAtures • DuAl Switching Diode
描述与应用| 特点 •双开关二极管
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