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MMBF170LT1 数据手册

型号系列:

MMBF170LT1 系列

分类:

MOS管

描述:

0.5A,60V,N沟道功率MOSFET

文档:

MMBF170LT1 数据手册 (24 页)

更新于: 2023/01/13 03:27:07 (UTC + 8)

MMBF170LT1 MOS管数据手册

MMBF170LT1

数据手册 (24 页)

1.2

ON Semiconductor（安森美）

MMBF170LT1G

数据手册 (14 页)

5.4

ON Semiconductor（安森美）

MMBF170LT1

数据手册 (4 页)

0.2

Motorola（摩托罗拉）

MMBF170LT1 - ON Semiconductor（安森美）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

500 mA

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

MMBF170LT1 - ON Semiconductor（安森美）概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.05Ω/Ohm @200mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-3.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •AEC Q101 Qualified − MVBF170LT1 •These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 功率MOSFET 500毫安，60 V N沟道SOT-23 AEC Q101标准 - MVBF170LT1 •这些器件是无铅，符合RoHS标准

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