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MTP3055 数据手册

型号系列:
MTP3055 系列
分类:
MOS管
描述:
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
更新于: 2023/01/13 02:17:40 (UTC + 8)

MTP3055 MOS管 数据手册

#1
MTP3055VL

MTP3055VL

数据手册 (20 )
3.2
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
MTP3055VL

MTP3055VL

数据手册 (7 )
3.0
ON Semiconductor(安森美)
#3
MTP3055V

MTP3055V

数据手册 (7 )
1.2
ON Semiconductor(安森美)
#4
MTP3055V

MTP3055V

数据手册 (3 )
1.1
Fairchild(飞兆/仙童)

MTP3055VL - ON Semiconductor(安森美) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
12.0 A
封装
TO-220-3
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MTP3055VL - ON Semiconductor(安森美) 概述

增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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