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S29GL256 数据手册
型号系列:
S29GL256 系列
分类:
Flash芯片
描述:
闪存, 或非, 并行NOR, 256 Mbit, 32M x 8位 / 16M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
更新于: 2023/01/13 03:10:43 (UTC + 8)
S29GL256 Flash芯片 数据手册
S29GL256 数据手册 Flash芯片
108 页
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S29GL-P 系列 3.6 V 256 Mb (32 M x 8) 100 ns 闪存 - TSOP-56
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Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 串行NOR, 256 Mbit, 32M x 8位, 并行, TSOP, 56 引脚
108 页
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
GL-P 系列 256 M (32 M x 8) 3.6 V 110 ns 表面贴装 闪存 - FBGA-64
108 页
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 并行NOR, 256 Mbit, 32M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚
84 页
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S29GL256P 系列 256 Mb (32M x 8) 3 V 100 ns 闪存-NOR 存储器 - TSOP-56
84 页
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S29GL256P 系列 256 Mb (32M x 8) 3 V 110 ns 闪存-NOR 存储器 - BGA-64
84 页
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL256P11FFI020 闪存, 或非, 256 Mbit, 并行, BGA, 64 引脚
84 页
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
并联 NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor高性能 快速随机访问和高带宽 ### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
84 页
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
GL-P 系列 256 M (32 M x 8) 3.6 V 110 ns 表面贴装 闪存 - FBGA-64
82 页
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S29GL256P 系列 256 Mb (32M x 8) 3 V 100 ns 闪存-NOR 存储器 - BGA-64
82 页
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
CYPRESS SEMICONDUCTOR S29GL256P11FFIV10 芯片, 闪存, 或非, 256MB, FBGA-64
82 页
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL256P10FFI010 闪存, 或非, 256 Mbit, CFI, 并行, BGA, 64 引脚
82 页
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL256P11FFI010 闪存, 或非, 256 Mbit, 32M x 8位 / 16M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
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