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SST39SF040 数据手册

型号系列:
SST39SF040 系列
分类:
Flash芯片
描述:
MICROCHIP  SST39SF040-70-4C-NHE  闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚
更新于: 2023/01/13 02:03:17 (UTC + 8)

SST39SF040 Flash芯片 数据手册

SST39SF040 数据手册 Flash芯片

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Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)
SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环(典型) 低功耗 - 有源电流 10 mA,待机电流 30 μA(14 MHz 时的典型值) 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间:70 ms(典型) 字节编程时间 - 14 μs(典型) 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒(典型值) 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存,Microchip
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Microchip(微芯)
MICROCHIP  SST39SF040-70-4I-WHE  闪存, 或非, 4 Mbit, 512K x 8位, TSOP, 32 引脚
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Microchip(微芯)
SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环(典型) 低功耗 - 有源电流 10 mA,待机电流 30 μA(14 MHz 时的典型值) 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间:70 ms(典型) 字节编程时间 - 14 μs(典型) 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒(典型值) 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存,Microchip
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Microchip(微芯)
NOR闪存 4.5 to 5.5 4Mbit Multi-Purpose Flash
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Microchip(微芯)
1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
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Microchip(微芯)
1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
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Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)
1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
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Microchip(微芯)
NOR闪存 4.5V to 5.5V 4Mbit Multi-Purpose Flash
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Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)

SST39SF040-70-4C-NHE - Microchip(微芯) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
32 Pin
电源电压
4.50V (min)
工作电压
4.5V ~ 5.5V
封装
PLCC-32
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SST39SF040-70-4C-NHE - Microchip(微芯) 概述

SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器
Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。
### 特点
4.5-5.5V 读写操作
寿命 - 100,000 次循环(典型)
低功耗 - 有源电流 10 mA,待机电流 30 μA(14 MHz 时的典型值)
扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区
读取访问时间 - 55 至 70 ns
扇区擦除时间 18 ms
芯片擦除时间:70 ms(典型)
字节编程时间 - 14 μs(典型)
芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒(典型值)
锁存地址和数据
自动写入计时 - 内部 VPP 生成
写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询
TTL 输入/输出兼容性
JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件
### 闪存,Microchip
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