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VSB3200 数据手册

型号系列:

VSB3200 系列

分类:

肖特基二极管

描述:

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率高功率密度和低正向电压### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

文档:

VSB3200-M3/54 数据手册 (8 页)

更新于: 2023/01/13 03:14:41 (UTC + 8)

VSB3200 肖特基二极管数据手册

VSB3200-M3/54

数据手册 (8 页)

0.9

Vishay Semiconductor（威世）

VSB3200-M3/54

数据手册 (4 页)

1.3

VISHAY（威世）

VSB3200-M3/73

数据手册 (4 页)

0.5

Vishay Semiconductor（威世）

VSB3200-M3/54 - VISHAY（威世）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

2 Pin

封装

DO-201AD

针脚数

2 Position

正向电流

3 A

VSB3200-M3/54 - VISHAY（威世）概述

●TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay Semiconductor

●Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。

●### 特点

●专利 Trench 结构

●提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率

●高功率密度和低正向电压

●### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

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