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2SB1132 数据手册

型号系列:

2SB1132 系列

分类:

描述:

中等功率晶体管（ -32V ， -1A ） Medium Power Transistor (−32V,−1A)

文档:

2SB1132T100R 数据手册 (9 页)

更新于: 2023/01/13 02:31:10 (UTC + 8)

2SB1132 - 数据手册

2SB1132T100R

数据手册 (9 页)

4.1

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SB1132T100Q

数据手册 (9 页)

2.7

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SB1132

数据手册 (5 页)

1.3

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SB1132T100P

数据手册 (5 页)

1.1

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SB1132 数据手册 -

2SB1132

数据手册

5 页

UTC（友顺）

PNP 型通用放大器

2SB1132R

数据手册

5 页

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

晶体管| BJT | PNP | 32V V（ BR ） CEO | 1A I（C ） | SC- 62 TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62

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2SB1132 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-89

2SB1132 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Medium Power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2)Complementary 2SD1664 描述与应用 | 中等功率晶体管特点 1）低VCE（sat）的。 2）互补型2SD1664

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