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2SB1132R
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2SB1132R 数据手册 (5 页)
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2SB1132R 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
MPT
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
32 V
集电极最大允许电流
1A

2SB1132R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

2SB1132R 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.16 MByte

2SB1132 数据手册

CJ(长电科技)
三极管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
中等功率晶体管( -32V , -1A ) Medium Power Transistor (−32V,−1A)
UTC(友顺)
PNP 型通用放大器
Micro Commercial Components(美微科)
Weitron Technology
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SB1132 系列 32 V 1 A 表面贴装 PNP 中等功率 晶体管 - SC-62
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SB1132 系列 32 V 1 A 表面贴装 PNP 中等功率晶体管 - SC-62
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
中等功率晶体管( -32V ,我?? -1A ) Medium Power Transistor (-32V,-1A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
PNP三极管 -40V -1A 150MHz 180~390 -500mV SOT-89 代码 BAR
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