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BAS116 数据手册

型号系列:

BAS116 系列

分类:

肖特基二极管

描述:

InfineonInfineon 的低泄漏二极管，提供单和双配置。这些设备提供比标准小信号二极管显著较低的反向泄漏电流### 二极管和整流器，Infineon

文档:

BAS116T-7-F 数据手册 (17 页)

更新于: 2023/01/13 02:15:42 (UTC + 8)

BAS116 肖特基二极管数据手册

#1

BAS116T-7-F

数据手册 (17 页)

1.4

Diodes（美台）

#2

BAS116LT1G

数据手册 (14 页)

4.7

ON Semiconductor（安森美）

#3

BAS116H,115

数据手册 (12 页)

1.9

Nexperia（安世）

#4

BAS116,215

数据手册 (10 页)

2.8

Nexperia（安世）

BAS116 数据手册肖特基二极管

10 页

Nexperia（安世）

9 页

Infineon（英飞凌）

InfineonInfineon 的低泄漏二极管，提供单和双配置。这些设备提供比标准小信号二极管显著较低的反向泄漏电流### 二极管和整流器，Infineon

9 页

NXP（恩智浦）

NXP BAS116 二极管小信号, 单, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A

9 页

Nexperia（安世）

9 页

Taiwan Semiconductor（台湾半导体）

Taiwan Semiconductor### 二极管和整流器，Taiwan Semiconductor

9 页

Multicomp

MULTICOMP BAS116 二极管小信号, 单, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 4.5 A

9 页

Diodes（美台）

9 页

Siemens Semiconductor（西门子）

6 页

ON Semiconductor（安森美）

开关二极管 Switching Diode

6 页

Infineon（英飞凌）

InfineonInfineon 高速小信号开关二极管，电流额定值高达 1A，反向电压额定值高达 400V。多数这些设备提供双路、三路和四路配置。### 二极管和整流器，Infineon

6 页

Diodes（美台）

BAS116LPH4 系列 300 mW 85 V 215 mA 表面贴装快速开关二极管

5 页

Diodes（美台）

二极管与整流器

4 页

ON Semiconductor（安森美）

开关二极管 Switching Diode

4 页

Diodes（美台）

BAS116LP3-7 二极管, 切换 215mA 85V 3000ns 硅结型, 2针 DFN封装

4 页

Vishay Semiconductor（威世）

4 页

Multicomp

二极管小信号, 单, 85 V, 500 mA, 1.25 V, 4 A

更多 BAS116 数据手册 >

BAS116 - Infineon（英飞凌）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

击穿电压

75.0 V

正向电压

1.25 V

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BAS116 - Infineon（英飞凌）概述

●反向电压VrReverse Voltage | 80V \---|--- 平均整流电流IoAverage Rectified Current | 250MA/0.25A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.25V 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time | 0.6~1.5us 最大耗散功率PdPower Dissipation | 370MW/0.37W Description & Applications |

● Silicon Low Leakage Diode.

● Low-leakage applications.

● Medium speed switching times. 描述与应用 |

● 硅低泄漏二极管。

● 低泄漏应用。

● 中速开关时间。

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