InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管，Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。提供单和双晶体管型号。

BCR166E6327HTSA1

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Infineon（英飞凌）

Infineon BCR166E6327HTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装

BCR166W

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Infineon（英飞凌）

PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor

BCR166E6433HTMA1

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1个PNP-预偏置 100mA 50V

BCR166WH6327XTSA1

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Infineon（英飞凌）

Infineon BCR166WH6327XTSA1 PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装

BCR 166 E6327

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BCR166B6327HTLA1

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BCR 166 E6433

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BCR 166F E6327

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BCR166WE6327HTSA1

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BCR 166 B6327

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BCR166 E6327

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BCR166 - Infineon（英飞凌）技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-23

极性

PNP

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

BCR166 - Infineon（英飞凌）概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 0.1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 70 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 160MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Feature • PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 4.7kΩ , R2 = 47kΩ ) 描述与应用| 特点 •PNP硅数字晶体管 •开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 •内置偏置电阻（R1=4.7kΩ上，R2=47KΩ）

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