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1N1186A
7.647
1N1186A 数据手册 (3 页)
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1N1186A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Chassis
引脚数
2 Pin
封装
DO-203AB
正向电压
1.1V @40A
热阻
0.25℃/W (RθJC)

1N1186A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
150 ℃

1N1186A 数据手册

GeneSiC Semiconductor
3 页 / 0.77 MByte
GeneSiC Semiconductor
3 页 / 0.72 MByte
GeneSiC Semiconductor
1 页 / 0.01 MByte

1N1186 数据手册

GeneSiC Semiconductor
整流器 200V 35A Std. Recovery
Microsemi(美高森美)
军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier
Vishay Semiconductor(威世)
电源硅整流二极管, 35 A / 40 A / 60 A Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A
International Rectifier(国际整流器)
GeneSiC Semiconductor
整流器 200V 40A Std. Recovery
GeneSiC Semiconductor
整流器 200V 35A REV Leads Std. Recovery
Solid State
SOLID STATE  1N1186A  硅整流二极管, DO5, 35A
Microsemi(美高森美)
高可靠性硅电力整流器 HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER
Microsemi(美高森美)
Vishay Semiconductor(威世)
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