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1N5365/TR12
1.877
1N5365/TR12 数据手册 (3 页)
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1N5365/TR12 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
容差
±20 %
封装
T-18-2
正向电压
1.2V @1A
功耗
5 W
稳压值
36 V
正向电压(Max)
1.2V @1A
额定功率(Max)
5 W

1N5365/TR12 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 150℃

1N5365/TR12 数据手册

Microsemi(美高森美)
3 页 / 0.14 MByte
Microsemi(美高森美)
3 页 / 0.06 MByte
Microsemi(美高森美)
10 页 / 0.12 MByte

1N5365 数据手册

Microsemi(美高森美)
硅5瓦齐纳二极管 Silicon 5 Watt Zener Diodes
New Jersey Semiconductor
Diotec Semiconductor
Jinan Jing Heng Electronics Co
Vishay Semiconductor(威世)
Freescale(飞思卡尔)
Panjit(强茂)
Electronics Industry
Transys Electronics
Boca Semiconductor(博卡半导体)
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