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器件3D模型
￥ 1.562
L6387ED 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
STMICROELECTRONICS L6387ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 5.5V-17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
Pictures:
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L6387ED 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
0.4 MHz
引脚数
8 Pin
电源电压
5.50V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
50ns, 30ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
功耗
750 mW
上升时间
50 ns
输出电流(Max)
0.65 A
下降时间
30 ns
下降时间(Max)
30 ns
上升时间(Max)
50 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-45 ℃
耗散功率(Max)
750 mW
电源电压(Max)
17 V
电源电压(Min)
5.5 V
查看数据手册 >
L6387ED 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.25 mm
工作温度
-45℃ ~ 125℃ (TJ)
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L6387ED 符合标准
L6387ED 海关信息
L6387ED 概述
●
MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics
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L6387ED
数据手册
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ST Microelectronics（意法半导体）
68 页 / 3.38 MByte
L6387ED
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STMICROELECTRONICS L6387ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 5.5V-17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
L6387
ED013TR
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L6387 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - SOIC-8
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MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics
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高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER
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