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1N5809US
2.792
1N5809US 数据手册 (5 页)
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1N5809US 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
封装
E-MELF
正向电压
0.875 V
热阻
52 ℃/W
反向恢复时间
30 ns
正向电流
6000 mA
正向电压(Max)
875mV @4A
正向电流(Max)
6000 mA
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

1N5809US 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bag
长度
5.72 mm
宽度
3.76 mm
高度
3.76 mm

1N5809US 数据手册

Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.26 MByte
Microsemi(美高森美)
3 页 / 0.21 MByte

1N5809 数据手册

Microsemi(美高森美)
1N5809 100 V 3 A 轴向 无空隙 密封 超快恢复 整流器
Microchip(微芯)
整流器 Rectifier
Semtech Corporation
整流器 D MET 6A SFST 100V
Solid State Devices
Central Semiconductor
Microsemi(美高森美)
无空隙 - 密封式超快恢复整流二极管玻璃 VOIDLESS - HERMETICALLY- SEALED ULTRAFAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS
Sensitron Semiconductor
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