￥ 0.379

1N6373G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

TVS二极管

封装:

41A-04

描述:

ON SEMICONDUCTOR 1N6373G TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 5 V, 9.4 V, 轴向引线, 2 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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1N6373G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

1N6373G 数据手册 (6 页)

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1N6373G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

2 Pin

工作电压

5 V

封装

41A-04

无卤素状态

Halogen Free

击穿电压

6 V

电路数

1 Circuit

针脚数

2 Position

功耗

1500 W

钳位电压

9.4 V

最大反向电压(Vrrm)

测试电流

1 mA

最大反向击穿电压

6 V

脉冲峰值功率

1500 W

最小反向击穿电压

6 V

击穿电压

6 V

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

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1N6373G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Each

长度

9.5 mm

工作温度

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

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1N6373G 符合标准

1N6373G 海关信息

1N6373G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.08 MByte

1N6373G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.23 MByte

1N6373G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.05 MByte

1N6373G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.07 MByte

1N6373 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors

Motorola（摩托罗拉）

MDE Semiconductor

Microsemi（美高森美）

Central Semiconductor

1N6373 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

TRANSZORB®瞬态电压抑制器 TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors

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