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1N6377-E3/51
0.532
1N6377-E3/51 数据手册 (5 页)
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1N6377-E3/51 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
DO-201AA
击穿电压
17.6 V
功耗
1.5 kW
钳位电压
20.6 V
脉冲峰值功率
1500 W
最小反向击穿电压
17.6 V
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

1N6377-E3/51 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

1N6377-E3/51 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.08 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.07 MByte

1N6377 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
Motorola(摩托罗拉)
Microsemi(美高森美)
MDE Semiconductor
Central Semiconductor
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