CSD87350Q5D

￥ 0.79

CSD87350Q5D 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

LSON-CLIP-8

描述:

同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD87350Q5D 数据手册 (23 页)

封装尺寸在18 页 21 页 22 页

典型应用电路图在13 页 14 页

CSD87350Q5D 数据手册 (23 页)

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CSD87350Q5D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

LSON-CLIP-8

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.005 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

12 W

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

±30 V

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

1770pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

12 W

下降时间

2.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

12 W

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CSD87350Q5D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.1 mm

宽度

5.1 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD87350Q5D 符合标准

CSD87350Q5D 海关信息

CSD87350Q5D 概述

CSD87350Q5D 数据手册

CSD87350Q5D 数据手册

TI（德州仪器）

23 页 / 1.04 MByte

CSD87350Q5D 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

24 页 / 1.06 MByte

CSD87350Q5D 产品修订记录

TI（德州仪器）

8 页 / 0.41 MByte

CSD87350Q5 数据手册

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同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对

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