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器件3D模型
¥ 3.814
CSD87350Q5D 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
MOS管
封装:
LSON-CLIP-8
描述:
同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
CSD87350Q5D 数据手册 (23 页)
封装尺寸
在
18 页
21 页
22 页
典型应用电路图
在
13 页
14 页
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应用领域
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电气规格
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电气规格
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CSD87350Q5D 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
LSON-CLIP-8
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.005 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
12 W
阈值电压
2.1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
±30 V
上升时间
17 ns
输入电容值(Ciss)
1770pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
12 W
下降时间
2.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
12 W
查看数据手册 >
CSD87350Q5D 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.1 mm
宽度
5.1 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD87350Q5D 符合标准
CSD87350Q5D 海关信息
CSD87350Q5D 概述
●
CSD87350Q5D NexFET 电源块是一款针对同步降压应用的优化设计器件,它能够在 5mm × 6mm 的小外形尺寸封装内提供高电流、高效率和高频性能。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,可提供高度灵活的解决方案,在与外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动配合使用时,均可提供高密度电源。
●
半桥电源块
●
25A 电流下系统效率达 90%
●
工作电流高达 40A
●
高频工作(高达 1.5MHz)
●
高密度 – 5mm × 6mm 小外形尺寸无引线封装 (SON) 尺寸
●
针对 5V 栅极驱动进行了优化
●
低开关损耗
●
超低电感封装
●
符合 RoHS 环保标准
●
无卤素
●
无铅端子镀层
●
## 应用范围
●
同步降压转换器
●
高频应用
●
高电流、低占空比应用
●
多相位同步降压转换器
●
负载点 (POL) 直流 (DC)-DC 转换器
●
移动电压定位 (IMVP),电压调整模块 (VRM) 与电压降压调节器 (VRD) 应用
●
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CSD87350Q5D 数据手册
CSD87350Q5D
数据手册
TI(德州仪器)
23 页 / 1.04 MByte
CSD87350Q5D
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
24 页 / 1.06 MByte
CSD87350Q5D
产品修订记录
TI(德州仪器)
8 页 / 0.41 MByte
CSD87350Q5 数据手册
CSD87350Q5
D
数据手册
TI(德州仪器)
同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对
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