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1N6377RL4G
0.32
1N6377RL4G 数据手册 (6 页)
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1N6377RL4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
DO-201AD
钳位电压
25 V
测试电流
1 mA
脉冲峰值功率
1500 W
最小反向击穿电压
17.6 V
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
-65℃ ~ 175℃

1N6377RL4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
9.5 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃ (TJ)

1N6377RL4G 数据手册

Littelfuse(力特)
6 页 / 0.08 MByte
Littelfuse(力特)
6 页 / 0.09 MByte
Littelfuse(力特)
2 页 / 0.18 MByte

1N6377RL4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
Motorola(摩托罗拉)
Littelfuse(力特)
Vishay Semiconductor(威世)
ON Semiconductor(安森美)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Littelfuse(力特)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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