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1SMA30AT3G
0.1
1SMA30AT3G 数据手册 (5 页)
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1SMA30AT3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
工作电压
30 V
封装
SMA
无卤素状态
Halogen Free
击穿电压
33.3 V
电路数
1 Circuit
针脚数
2 Position
钳位电压
48.4 V
最大反向电压(Vrrm)
30V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
36.8 V
脉冲峰值功率
400 W
最小反向击穿电压
33.3 V
击穿电压
33.3 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
-65℃ ~ 150℃

1SMA30AT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.57 mm
宽度
2.92 mm
高度
2.05 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

1SMA30AT3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.03 MByte

1SMA30AT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
400瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  1SMA30AT3G  TVS Diode, 1SMA Series, Unidirectional, 30 V, 48.4 V, DO-214AC, 2 Pins 新
Littelfuse(力特)
TVS 二极管 Littelfuse 1SMA30AT3G 单向, 400W, 48.4V, 2针 DO-214AC (SMA)封装
Z-TEK(力特電子)
400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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