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1SMB16AT3
0.12
1SMB16AT3 数据手册 (7 页)
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1SMB16AT3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
16.0 V
封装
SMB
额定功率
600 W
击穿电压
18.8 V
最大反向电压(Vrrm)
16V
脉冲峰值功率
600 W
最小反向击穿电压
17.8 V

1SMB16AT3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
4.57 mm
宽度
3.81 mm
高度
2.41 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)
厚度
2.41 mm

1SMB16AT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.05 MByte

1SMB16 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  1SMB16AT3G  TVS Diode, 1SMB Series, Unidirectional, 16 V, 26 V, DO-214AA, 2 Pins 新
ON Semiconductor(安森美)
600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
1SMB16AT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 16V 23.1A 3W DO-214AA/SMB-16v 标记LP
ON Semiconductor(安森美)
瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
ON Semiconductor(安森美)
600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Littelfuse(力特)
Central Semiconductor
Littelfuse(力特)
600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Littelfuse(力特)
600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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