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1SMB30CAT3G
0.18
1SMB30CAT3G 数据手册 (5 页)
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1SMB30CAT3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
电容
290 pF
封装
SMB
额定功率
600 W
无卤素状态
Halogen Free
击穿电压
33.3 V
电路数
1 Circuit
针脚数
2 Position
功耗
600 W
钳位电压
48.4 V
最大反向电压(Vrrm)
30V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
36.8 V
脉冲峰值功率
600 W
最小反向击穿电压
33.3 V
击穿电压
33.3 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
-65℃ ~ 150℃

1SMB30CAT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.57 mm
宽度
3.81 mm
高度
2.41 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

1SMB30CAT3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.39 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.32 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.13 MByte

1SMB30CAT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  1SMB30CAT3G.  二极管, TVS, 双极性, Case 403A
Littelfuse(力特)
600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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