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IXFA4N100Q
5.71
IXFA4N100Q 数据手册 (4 页)
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IXFA4N100Q 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
150 W
漏源极电压(Vds)
1000 V
连续漏极电流(Ids)
4A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
1050pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
下降时间
18 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150W (Tc)

IXFA4N100Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFA4N100Q 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.14 MByte

IXFA4N100 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
N 沟道 1000 V 3 Ω Q 类 表面贴装 HiPerFET Mosfet TO-263
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