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20108D1X102K5E
器件3D模型
1.143
20108D1X102K5E 数据手册 (3 页)
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20108D1X102K5E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
电容
0.001 µF
容差
10 %
封装
SIP

20108D1X102K5E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 125℃

20108D1X102K5E 数据手册

Vishay Dale(威世达勒)
3 页 / 0.1 MByte

20108D1X102K5 数据手册

VISHAY(威世)
201 系列 1000 pF X7R ±10 % 厚膜 电容 网络 - SIP-8
Vishay Dale(威世达勒)
电容器阵列与网络 1000pF 8p/7caps 10%
Vishay Semiconductor(威世)
201 系列 1000 pF X7R ±10 % 厚膜 电容 网络 - SIP-8
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Intertechnology
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