25LC512T-M/SN 数据手册 - Microchip（微芯）

MICROCHIP  25LC512-I/SN  EEPROM, AEC-Q100, 512 Kbit, 64K x 8位, 20 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚

MICROCHIP  25LC512T-I/SN  芯片, 存储器, EEPROM, 512KB, 串行口 20MHZ SOIC-8, 整卷

MICROCHIP  25LC512-I/P  EEPROM, AEC-Q100, 512 Kbit, 64K x 8位, 20 MHz, SPI, DIP, 8 引脚

25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停，从而导致输入被忽略，通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点20 MHz 最大时钟速度 字节和页面级写入操作（最长 5 ms）：无需擦除页面或扇区 128 字节页面 最大写入电流：5 mA @ 5.5V，20MHz 读取电流：10 mA @ 5.5V，20 MHz 待机电流：1μA @ 2.5V（深断电） 电子签名，用于设备 ID 自定时擦除和写入周期：页面擦除（5 ms 典型）、扇区擦除（10 ms/扇区，典型）和批量擦除（10 ms，典型） 扇区写入保护（16K 字节/扇区）：保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护：电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 耐受性：1 百万次擦除/写入周期 数据保留：>200 年 ESD 保护：>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip

MICROCHIP  25LC512-I/SM  存储芯片, EEPROM, 512K, SPI, 20MHZ, SOIJ-9

25LC512 系列 512 K 位 (64Kx8) 2.5 V SPI 串行总线 6x5 mm DFN-8 EEPROM

25LC512系列 512 Kb (64Kx8) I2C 串行总线 SOIC-8 电可擦除PROM 扩展温度 卷盘

25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停，从而导致输入被忽略，通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点20 MHz 最大时钟速度 字节和页面级写入操作（最长 5 ms）：无需擦除页面或扇区 128 字节页面 最大写入电流：5 mA @ 5.5V，20MHz 读取电流：10 mA @ 5.5V，20 MHz 待机电流：1μA @ 2.5V（深断电） 电子签名，用于设备 ID 自定时擦除和写入周期：页面擦除（5 ms 典型）、扇区擦除（10 ms/扇区，典型）和批量擦除（10 ms，典型） 扇区写入保护（16K 字节/扇区）：保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护：电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 耐受性：1 百万次擦除/写入周期 数据保留：>200 年 ESD 保护：>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip

25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停，从而导致输入被忽略，通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点20 MHz 最大时钟速度 字节和页面级写入操作（最长 5 ms）：无需擦除页面或扇区 128 字节页面 最大写入电流：5 mA @ 5.5V，20MHz 读取电流：10 mA @ 5.5V，20 MHz 待机电流：1μA @ 2.5V（深断电） 电子签名，用于设备 ID 自定时擦除和写入周期：页面擦除（5 ms 典型）、扇区擦除（10 ms/扇区，典型）和批量擦除（10 ms，典型） 扇区写入保护（16K 字节/扇区）：保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护：电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 耐受性：1 百万次擦除/写入周期 数据保留：>200 年 ESD 保护：>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip