2N2609

￥ 78.171

2N2609 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

JFET晶体管

封装:

TO-18

描述:

P沟道J- FET P-CHANNEL J-FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N2609 数据手册 (2 页)

2N2609 数据手册 (2 页)

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2N2609 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-18

功耗

300 mW

击穿电压

30 V

输入电容值(Ciss)

10pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

查看数据手册 >

2N2609 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bag

工作温度

-65℃ ~ 200℃ (TJ)

查看数据手册 >

2N2609 符合标准

2N2609 海关信息

2N2609 数据手册

2N2609 数据手册

Microsemi（美高森美）

2 页 / 0.41 MByte

2N2609 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

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