2N4393

￥ 4.423

2N4393 数据手册 - Central Semiconductor

制造商:

Central Semiconductor

分类:

JFET晶体管

封装:

TO-18

描述:

2N 系列 40 V 30 mA N 沟道结场效应晶体管 - TO-18

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N4393 数据手册 (7 页)

封装尺寸在5 页

2N4393 数据手册 (7 页)

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2N4393 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-18

漏源极电阻

100 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.8 W

漏源极电压(Vds)

40.0 V

漏源击穿电压

40 V

栅源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

100 pA

击穿电压

40 V

输入电容值(Ciss)

14pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

1.8 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1.8 W

查看数据手册 >

2N4393 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

工作温度

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

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2N4393 符合标准

2N4393 海关信息

2N4393 数据手册

2N4393 数据手册

Central Semiconductor

7 页 / 0.25 MByte

2N4393 其他数据使用手册

Central Semiconductor

7 页 / 0.27 MByte

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