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2N4393-E3
2.307
2N4393-E3 数据手册 (7 页)
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2N4393-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电流
50.0 mA
封装
TO-206
击穿电压
-55.0 V
漏源极电阻
100 Ω
极性
N-Channel
功耗
1800 mW
输入电容
3.5 pF
栅源击穿电压
-40.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 mA
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1800 mW

2N4393-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Bulk
长度
5.84 mm
宽度
5.84 mm
高度
5.33 mm

2N4393-E3 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
7 页 / 0.05 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.05 MByte

2N4393 数据手册

Central Semiconductor
2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
Vishay Siliconix
Calogic
2N4393 系列 N 沟道 -40 V 0.2 uA JFET 开关 通孔 - TO-18
VISHAY(威世)
Microsemi(美高森美)
Intersil(英特矽尔)
N沟道JFET N-CHANNEL JFET
Microchip(微芯)
Motorola(摩托罗拉)
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道JFET的 N-Channel JFETs
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