2N4856

￥ 46.71

2N4856 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

JFET晶体管

封装:

TO-18

描述:

N沟道J- FET N-CHANNEL J-FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N4856 数据手册 (3 页)

2N4856 数据手册 (3 页)

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2N4856 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-18

漏源极电阻

25 Ω

功耗

360 mW

漏源极电压(Vds)

40 V

击穿电压

40 V

输入电容值(Ciss)

18pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

360 mW

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

360 mW

查看数据手册 >

2N4856 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bag

工作温度

-65℃ ~ 200℃ (TJ)

查看数据手册 >

2N4856 符合标准

2N4856 数据手册

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Microsemi（美高森美）

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