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2N5192G
0.26
2N5192G 数据手册 (6 页)
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2N5192G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
2 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
4.00 A
封装
TO-225-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
40 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
热阻
3.12℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
20 @1.5A, 2V
最大电流放大倍数
80
额定功率(Max)
40 W
直流电流增益(hFE)
2
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
40000 mW

2N5192G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
7.8 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

2N5192G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
134 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 1.83 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

2N5192 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  2N5192  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 80 hFE
ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管硅NPN POWER TRANSISTORS SILICON NPN
Central Semiconductor
National Semiconductor(美国国家半导体)
Semicoa Semiconductor
Advanced Semiconductor
TI(德州仪器)
Motorola(摩托罗拉)
Continental Device
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