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2N5210
0.111
2N5210 数据手册 (9 页)
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2N5210 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-226-3
功耗
350 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
200 @100µA, 5V
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
150 ℃

2N5210 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
5.21 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

2N5210 数据手册

Central Semiconductor
9 页 / 0.18 MByte
Central Semiconductor
9 页 / 0.2 MByte
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