器件3D模型

￥ 0.235

IRFR5305TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IRFR5305TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFR5305TRPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRFR5305TRPBF 数据手册 (11 页)

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IRFR5305TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

89 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.065 Ω

极性

P-Channel

功耗

110 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

31A

上升时间

66 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

63 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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IRFR5305TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFR5305TRPBF 符合标准

IRFR5305TRPBF 海关信息

IRFR5305TRPBF 概述

IRFR5305TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.23 MByte

IRFR5305TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFR5305TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRFR5305TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFR5305TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFR5305TRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

6 页 / 0.15 MByte

IRFR5305TRPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.15 MByte

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