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2N5401BU
0.017
2N5401BU 数据手册 (4 页)
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2N5401BU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
400 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-150 V
额定电流
-600 mA
封装
TO-92-3
极性
PNP
功耗
0.625 W
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
最小电流放大倍数
60 @10mA, 5V
额定功率(Max)
625 mW
直流电流增益(hFE)
30
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

2N5401BU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N5401BU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.03 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.25 MByte

2N5401 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
Diotec Semiconductor
CJ(长电科技)
2N5401 B档 150~200
Central Semiconductor
先科ST(先科)
2N5401 袋装
ST Microelectronics(意法半导体)
Multicomp
MULTICOMP  2N5401  单晶体管 双极, PNP, 150 V, 0.625 W, 600 mA, 50 hFE
NXP(恩智浦)
PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier
UTC(友顺)
高压开关 晶体管
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