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2N5401RL1G
0.04
2N5401RL1G 数据手册 (5 页)
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2N5401RL1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-150 V
额定电流
-600 mA
封装
TO-226-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
60 @10mA, 5V
额定功率(Max)
625 mW

2N5401RL1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N5401RL1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte

2N5401RL1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
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