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2N5401RLRMG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-226-3

描述:

放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N5401RLRMG 数据手册 (10 页)

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2N5401RLRMG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-150 V

额定电流

-600 mA

封装

TO-226-3

极性

PNP

击穿电压(集电极-发射极)

150 V

集电极最大允许电流

0.6A

最小电流放大倍数

60 @10mA, 5V

额定功率(Max)

625 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

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2N5401RLRMG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Box (TB)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N5401RLRMG 符合标准

2N5401RLRMG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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