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2N5550_D26Z
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2N5550_D26Z 数据手册 (10 页)
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2N5550_D26Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-92-3
极性
NPN
功耗
625 mW
击穿电压(集电极-发射极)
140 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
60 @10mA, 5V
最大电流放大倍数
250
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

2N5550_D26Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2N5550_D26Z 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.31 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.32 MByte

2N5550D26 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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